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  • 型号: MMBT589LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBT589LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT589LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT589LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT589LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBT589LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT589LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 MMBT589LT1G 是一款表面贴装的小信号 NPN 双极结型晶体管(BJT),广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:  

1. 信号放大:适用于音频、射频及小信号放大电路,如前置放大器、传感器信号调理等,因其具有良好的增益特性和频率响应。  

2. 开关控制:常用于低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电路中的电平转换,具备快速开关响应能力。  

3. 便携式设备:由于采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。  

4. 电源管理:在DC-DC转换器、电压检测电路或负载开关中作为控制元件使用,协助实现高效能电源管理。  

5. 消费类电子与工业控制:广泛用于家用电器、遥控器、玩具、仪表及工业传感器模块中,承担信号处理与控制功能。  

MMBT589LT1G 具有高可靠性、低饱和压降和优良的一致性,且符合RoHS环保标准,是中小功率模拟与数字电路中的常用器件。其“G”后缀表示为无铅产品,适用于对环保要求较高的制造工艺。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS SW PNP 30V 2A SOT-23两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT589LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBT589LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT589LT1GOSDKR

功率-最大值

310mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

310 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMBT589L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 30 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 0.65 V

集电极连续电流

- 1 A

频率-跃迁

100MHz

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