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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BD676AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD676AG价格参考。ON SemiconductorBD676AG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BD676AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD676AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的BD676AG是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于功率放大和开关应用类器件。该型号具有较高的集电极电流和耐压能力,适用于中高功率场景。 BD676AG常用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域的开关与放大电路中。典型应用场景包括:直流电机控制、继电器或电磁阀驱动、电源逆变器中的功率放大级、以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。因其具备良好的热稳定性和可靠性,也适合在较恶劣工作环境下使用。 此外,BD676AG还可用于音频功率放大器的输出级,或作为线性电源中的调整管,实现电压调节功能。其封装形式有利于散热,适合需要持续大电流工作的场合。 综上,BD676AG凭借其稳定的性能和较强的负载驱动能力,广泛应用于工业电子、汽车电子辅助系统、电源设备及通用功率控制电路中,是一款可靠的中高功率NPN晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 | 
| 描述 | TRANS DARL PNP 45V 4A BIPO TO225达林顿晶体管 4A 45V 40W PNP | 
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 | 
| 品牌 | ON Semiconductor | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BD676AG- | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD676AG | 
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2.8V @ 40mA,2A | 
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 2A,3V | 
| 产品种类 | 达林顿晶体管 | 
| 供应商器件封装 | TO225AA | 
| 其它名称 | BD676AG-ND | 
| 功率-最大值 | 40W | 
| 包装 | 散装 | 
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V | 
| 商标 | ON Semiconductor | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 封装 | Bulk | 
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 | 
| 封装/箱体 | QFN | 
| 工厂包装数量 | 500 | 
| 晶体管极性 | PNP | 
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 
| 最大工作温度 | + 150 C | 
| 最大直流电集电极电流 | 4 A | 
| 最大集电极截止电流 | 200 uA | 
| 最小工作温度 | - 55 C | 
| 标准包装 | 500 | 
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V | 
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A | 
| 电流-集电极截止(最大值) | 500µA | 
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 750 | 
| 系列 | BD676A | 
| 配置 | Single | 
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V | 
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V | 
| 频率-跃迁 | - | 
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