ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G10LS-135RN,11
Datasheet下载- 型号： BLF6G10LS-135RN,11
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-135RN,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-135RN,11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-135RN,11封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B。您可以下载BLF6G10LS-135RN,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-135RN,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10LS-135RN,11是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场景。该器件基于LDMOS技术，工作频率覆盖HF至VHF/UHF波段，特别适用于100W至1kW量级的射频输出需求。 其主要应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段中的射频能量应用，如等离子体生成、射频加热、感应加热及介质加热等。此外，该器件也常用于广播发射设备中，支持AM和FM无线广播发射系统的高效率功率放大，尤其适合需要高可靠性和连续波（CW）运行能力的场合。 BLF6G10LS-135RN,11具备优异的热稳定性和高增益特性，采用坚固的封装设计，能承受高驻波比（VSWR）负载失配，适合在恶劣工作环境下长期运行。因此，它也广泛应用于陆地移动通信基站、公共安全通信系统以及高功率射频测试仪器中。 总之，该器件凭借高效率、高耐用性和良好的线性性能，成为多种高功率射频系统中的核心放大元件，特别适用于对稳定性与输出功率要求严苛的工业与通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-135RN,11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934063207118 |
| 功率-输出 | 26.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 额定电流 | 32A |
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