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  • 型号: BD912
  • 制造商: STMicroelectronics
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BD912产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BD912由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD912价格参考。STMicroelectronicsBD912封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 15A 3MHz 90W 通孔 TO-220AB。您可以下载BD912参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD912 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)生产的BD912是一款双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是其典型应用场景:

 1. 开关应用
   - BD912常用于需要高电流驱动能力的开关电路中,例如继电器驱动、电磁阀控制或LED驱动等场景。
   - 它能够承受较高的集电极电流(Ic),适合在工业自动化设备中作为功率开关。

 2. 音频放大器
   - BD912可用作音频功率放大器中的输出级晶体管,支持较大的功率输出,适用于小型扬声器驱动或低功耗音频系统。

 3. 电源管理
   - 在直流-直流转换器或线性稳压器中,BD912可以作为功率晶体管,用于调节输出电压或电流。
   - 它也适用于电池充电电路中的电流限制功能。

 4. 电机驱动
   - BD912可用于驱动小型直流电机或步进电机,尤其是在需要高电流输出的应用中,例如玩具、家用电器或小型机器人。

 5. 信号放大
   - 在一些模拟信号处理电路中,BD912可以用作信号放大器,适用于传感器信号放大或其他低频信号处理场合。

 6. 保护电路
   - BD912可以用于过流保护、短路保护或负载检测电路中,通过其高电流承载能力和快速响应特性来确保系统的安全运行。

 总结
BD912凭借其高电流能力、良好的增益特性和可靠性,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。具体使用时需根据实际需求选择合适的偏置电路和散热措施,以充分发挥其性能优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR POWER PNP TO-220两极晶体管 - BJT PNP General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BD912-

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产品型号

BD912

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 2.5A,10A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 5A,4V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7179-5
BD912-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF75067?referrer=70071840

功率-最大值

90W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

STMicroelectronics

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

90 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

15 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

15A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

直流电流增益hFE最大值

150

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

系列

BD912

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

频率-跃迁

3MHz

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BD909/911 BD910/912 ® COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS n STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD910 and 3 BD912 respectively. 2 1 TO-220 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit NPN BD909 BD911 PNP BD910 BD912 VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 80 100 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V IE,IC Collector Current 15 A IB Base Current 5 A Ptot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 90 W Tstg Storage Temperature -65 to 150 oC Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC For PNP types voltage and current values are negative. October 1999 1/6

BD909 / BD910 / BD911 / BD912 THERMAL DATA Rthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 1.4 oC/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified) Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ICBO Collector Cut-off for BD909/910 VCB = 80 V 500 m A Current (IE = 0) for BD911/912 VCB = 100 V 500 m A Tcase = 150 oC for BD909/910 VCB = 80 V 5 mA for BD911/912 VCB = 100 V 5 mA ICEO Collector Cut-off for BD909/910 VCE = 40 V 1 mA Current (IB = 0) for BD911/912 VCE = 50 V 1 mA IEBO Emitter Cut-off Current VEB = 5 V 1 mA (IC = 0) VCEO(sus)* Collector-Emitter IC = 100 mA for BD909/910 80 V Sustaining Voltage for BD911/912 100 V (IB = 0) VCE(sat)* Collector-Emitter IC = 5 A IB = 0.5 A 1 V Saturation Voltage IC = 10 A IB = 2.5 A 3 V VBE(sat)* Base-Emitter IC = 10 A IB = 2.5 A 2.5 V Saturation Voltage VBE* Base-Emitter Voltage IC = 5 A VCE = 4 V 1.5 V hFE* DC Current Gain IC = 0.5 A VCE = 4 V 40 250 IC = 5 A VCE = 4 V 15 150 IC = 10 A VCE = 4 V 5 fT Transition frequency IC = 0.5 A VCE = 4 V 3 MHz * Pulsed: Pulse duration = 300 m s, duty cycle 1.5 % For PNP types voltage and current values are negative. Safe Operating Area Derating Curves 2/6

BD909 / BD910 / BD911 / BD912 DC Current Gain (NPN type) DC Current Gain (PNP type) DC Transconductance (NPN type) DC Transconductance (PNP type) Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type) Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type) 3/6

BD909 / BD910 / BD911 / BD912 Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type) Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type) Transition Frequency (NPN type) Transition Frequency (PNP type) 4/6

BD909 / BD910 / BD911 / BD912 TO-220 MECHANICAL DATA mm inch DIM. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. A 4.40 4.60 0.173 0.181 C 1.23 1.32 0.048 0.051 D 2.40 2.72 0.094 0.107 D1 1.27 0.050 E 0.49 0.70 0.019 0.027 F 0.61 0.88 0.024 0.034 F1 1.14 1.70 0.044 0.067 F2 1.14 1.70 0.044 0.067 G 4.95 5.15 0.194 0.203 G1 2.4 2.7 0.094 0.106 H2 10.0 10.40 0.393 0.409 L2 16.4 0.645 L4 13.0 14.0 0.511 0.551 L5 2.65 2.95 0.104 0.116 L6 15.25 15.75 0.600 0.620 L7 6.2 6.6 0.244 0.260 L9 3.5 3.93 0.137 0.154 DIA. 3.75 3.85 0.147 0.151 P011C 5/6

BD909 / BD910 / BD911 / BD912 Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics. The ST logo is a trademark of STMicroelectronics © 1999 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights Reserved STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES Australia - Brazil - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A. http://www.st.com . 6/6

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