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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF620,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF620,115价格参考。NXP SemiconductorsBF620,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF620,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF620,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BF620,115是一款双极型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该器件适用于需要良好高频性能和稳定性的电子电路设计。 BF620,115的典型应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:由于其良好的高频响应,BF620,115常用于射频信号放大电路中,如无线通信设备、广播接收器等。 2. 低噪声前置放大器:在对信号噪声敏感的应用中,该晶体管可作为低噪声前置放大器使用,提升信号质量。 3. 模拟开关与逻辑电路:BF620,115具备良好的开关特性,适合用在模拟开关、数字控制电路及逻辑驱动电路中。 4. 振荡器与混频器:在高频振荡电路或混频电路中,BF620,115也可作为关键元件,实现频率转换等功能。 5. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、小型无线电装置等,用于信号处理和功率控制。 BF620,115采用SOT23封装,体积小、便于集成,适用于高密度PCB布局,适合自动化装配工艺。该晶体管具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于通信、工业控制和消费电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 300V 50MA SOT89两极晶体管 - BJT NPN 300V 50mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BF620,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF620,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6944-1 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1100 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 25 mA at 20 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 零件号别名 | BF620 T/R |
| 频率-跃迁 | 60MHz |