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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJF122由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJF122价格参考。ON SemiconductorMJF122封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJF122参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJF122 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MJF122是一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频晶体管。它广泛应用于射频(RF)和高频放大电路中,适用于需要高增益和良好高频响应的场景。 MJF122的主要应用场景包括: 1. 射频放大器:该晶体管具有良好的高频特性,常用于VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段的信号放大,适用于无线通信设备中的前置放大器或驱动放大器。 2. 低噪声放大(LNA):由于其较低的噪声系数,MJF122适合用于接收机前端,以提高信号的灵敏度和清晰度,广泛应用于广播、电视和通信接收设备中。 3. 振荡器和混频器:该晶体管可用于构建高频振荡电路和混频电路,适用于无线电发射与接收系统中的频率转换环节。 4. 工业与消费类电子产品:如测试仪器、射频模块、无线麦克风系统等对高频性能有要求的电子设备中也有应用。 5. 航空航天与军事通信:由于其稳定性和高频性能,MJF122也适用于一些对可靠性要求较高的专用通信系统中。 总结来说,MJF122是一款适用于高频、低噪声放大和射频电路设计的重要器件,广泛用于通信、广播和测试设备等领域。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | 分立半导体产品 | 
| 描述 | TRANS DARL NPN 5A 100V TO220FP | 
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 | 
| 品牌 | ON Semiconductor | 
| 数据手册 | |
| 产品图片 | 
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| 产品型号 | MJF122 | 
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | - | 
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3.5V @ 20mA,5A | 
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 2000 @ 3A,3V | 
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 
| 其它名称 | MJF122OS | 
| 功率-最大值 | 2W | 
| 包装 | 管件 | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | 
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 
| 标准包装 | 50 | 
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V | 
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A | 
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA | 
| 频率-跃迁 | - | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            