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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT200价格参考¥0.14-¥0.14。Fairchild SemiconductorMMBT200封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBT200是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于低电流、低电压开关与放大应用。该器件具有较高的直流电流增益和快速开关特性,适合在便携式电子设备中使用。 典型应用场景包括: 1. 信号放大电路:用于音频或小信号放大,如前置放大器、传感器信号调理等; 2. 开关控制:广泛应用于LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等低功率开关场景; 3. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与信号切换; 4. 电源管理模块:在DC-DC转换器、LDO稳压器中作为驱动或辅助控制元件; 5. 工业与汽车电子:用于小型继电器驱动、传感器接口电路,在非高功率环境中稳定工作。 MMBT200因其小型化封装和良好可靠性,特别适合空间受限的高密度PCB设计。同时,其符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。总体而言,MMBT200是一款经济高效、性能稳定的通用型晶体管,广泛服务于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT200- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT200 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT200CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 450 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBT200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 零件号别名 | MMBT200_NL |
| 频率-跃迁 | 250MHz |