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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5210TFR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5210TFR价格参考。Fairchild Semiconductor2N5210TFR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5210TFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5210TFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5210TFR 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型。该型号广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或放大元件。以下是其典型应用场景: 1. 信号放大 - 2N5210TFR 可用于音频、射频或其他低功率信号的放大。例如,在音响设备或通信系统中,它可以放大微弱的输入信号以驱动扬声器或后续级电路。 2. 开关应用 - 在数字电路中,2N5210TFR 常被用作开关。通过控制基极电流,可以使晶体管在饱和区和截止区之间切换,从而实现对负载(如 LED、继电器等)的通断控制。 - 示例:驱动继电器或小型电机。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于简单的线性稳压器设计,作为调整管来调节输出电压。它还可以参与过流保护电路,检测并限制异常电流。 4. 脉冲调制与驱动 - 在脉宽调制(PWM)电路中,2N5210TFR 能够根据输入脉冲信号快速切换状态,从而控制负载的工作模式。例如,用于 LED 亮度调节或直流电机速度控制。 5. 传感器接口 - 结合传感器使用时,2N5210TFR 可将传感器产生的微小电信号进行放大,以便进一步处理或显示。例如,热敏电阻温度监测电路中的信号增强。 6. 振荡器与定时电路 - 2N5210TFR 可用于构建多谐振荡器或单稳态触发器,生成周期性信号或延迟功能。这种特性适用于计时器、闪烁灯控制器等场景。 7. 无线通信 - 在低频段的无线电发射机或接收机中,2N5210TFR 可用作混频器、调制器或解调器的一部分,完成信号处理任务。 总结 2N5210TFR 的典型应用场景包括但不限于信号放大、开关控制、电源管理、脉冲调制、传感器接口、振荡器设计以及无线通信领域。由于其性能稳定且易于驱动,这款晶体管非常适合中小功率的通用电子项目。在实际应用中,需结合具体电路需求选择合适的偏置条件和外围元件,以确保最佳工作效果。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5210TFR- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5210TFR |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100µA, 5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N5210TFRDKR |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 4.5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 600 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | 2N5210 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | 30MHz |