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  • 型号: 2N5210TFR
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5210TFR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5210TFR价格参考。Fairchild Semiconductor2N5210TFR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5210TFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5210TFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5210TFR 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型。该型号广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或放大元件。以下是其典型应用场景:

 1. 信号放大
   - 2N5210TFR 可用于音频、射频或其他低功率信号的放大。例如,在音响设备或通信系统中,它可以放大微弱的输入信号以驱动扬声器或后续级电路。

 2. 开关应用
   - 在数字电路中,2N5210TFR 常被用作开关。通过控制基极电流,可以使晶体管在饱和区和截止区之间切换,从而实现对负载(如 LED、继电器等)的通断控制。
   - 示例:驱动继电器或小型电机。

 3. 电源管理
   - 该晶体管可用于简单的线性稳压器设计,作为调整管来调节输出电压。它还可以参与过流保护电路,检测并限制异常电流。

 4. 脉冲调制与驱动
   - 在脉宽调制(PWM)电路中,2N5210TFR 能够根据输入脉冲信号快速切换状态,从而控制负载的工作模式。例如,用于 LED 亮度调节或直流电机速度控制。

 5. 传感器接口
   - 结合传感器使用时,2N5210TFR 可将传感器产生的微小电信号进行放大,以便进一步处理或显示。例如,热敏电阻温度监测电路中的信号增强。

 6. 振荡器与定时电路
   - 2N5210TFR 可用于构建多谐振荡器或单稳态触发器,生成周期性信号或延迟功能。这种特性适用于计时器、闪烁灯控制器等场景。

 7. 无线通信
   - 在低频段的无线电发射机或接收机中,2N5210TFR 可用作混频器、调制器或解调器的一部分,完成信号处理任务。

 总结
2N5210TFR 的典型应用场景包括但不限于信号放大、开关控制、电源管理、脉冲调制、传感器接口、振荡器设计以及无线通信领域。由于其性能稳定且易于驱动,这款晶体管非常适合中小功率的通用电子项目。在实际应用中,需结合具体电路需求选择合适的偏置条件和外围元件,以确保最佳工作效果。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5210TFR-

数据手册

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产品型号

2N5210TFR

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 100µA, 5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

2N5210TFRDKR

功率-最大值

625mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

240 mg

发射极-基极电压VEBO

4.5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

30 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

600

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

2N5210

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.7 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

30MHz

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