Datasheet下载- 型号： DP0150ALP4-7B
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DP0150ALP4-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DP0150ALP4-7B价格参考。Diodes Inc.DP0150ALP4-7B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DP0150ALP4-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DP0150ALP4-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的双极晶体管型号DP0150ALP4-7B属于NPN型晶体管，常用于中功率开关和放大电路。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关等电路中，实现电源的高效切换与调节。 2. 电机驱动：适用于小型电机或继电器的开关控制，具备一定的电流承载能力。 3. 工业自动化：在PLC、传感器模块等工业设备中作为信号放大或驱动元件。 4. 消费电子：用于LED驱动、充电电路、风扇控制等场景，满足中低功率需求。 5. 汽车电子：支持车载充电、照明控制等应用，符合AEC-Q101可靠性标准。 该器件采用TSOT封装，节省空间且便于散热，适合高密度PCB设计。其优势在于高可靠性、较低的饱和压降（Vce_sat）和良好的热稳定性，适用于需要高效能与稳定性的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 100MA DFN1006H4-3两极晶体管 - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DP0150ALP4-7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DP0150ALP4-7B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DP0150ALP4-7BDITR |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006H4-3 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | DP0150A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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