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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT123S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT123S-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBT123S-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT123S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT123S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBT123S-7-F是一款常用的单颗双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于各类电子电路中,因其具备良好的开关特性和适中的电流放大能力。 MMBT123S-7-F主要适用于以下几种应用场景: 1. 开关电路:该晶体管常用于数字电路和控制电路中的开关元件,例如驱动继电器、LED、小型电机等负载。 2. 信号放大:在低频和中频模拟电路中,MMBT123S-7-F可用于小信号放大,如音频前置放大电路。 3. 电源管理:在电源管理和负载切换电路中,该晶体管可作为控制通断的开关使用,适用于电池供电设备或低功耗系统。 4. 接口电路:用于微控制器或逻辑电路与外部高电压/高电流设备之间的接口隔离与驱动。 5. 消费类电子产品:如手机、平板电脑、智能穿戴设备等,用于各类控制与信号处理功能。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局,且成本较低,适合大批量应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 1A 18V SOT23-3两极晶体管 - BJT 18V 300mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT123S-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT123S-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 30mA,300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 100mA,1V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT123S-FDICT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 18V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | MMBT123S |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |