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  • 型号: MMBT123S-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT123S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT123S-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBT123S-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT123S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT123S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的MMBT123S-7-F是一款常用的单颗双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于各类电子电路中,因其具备良好的开关特性和适中的电流放大能力。

MMBT123S-7-F主要适用于以下几种应用场景:

1. 开关电路:该晶体管常用于数字电路和控制电路中的开关元件,例如驱动继电器、LED、小型电机等负载。

2. 信号放大:在低频和中频模拟电路中,MMBT123S-7-F可用于小信号放大,如音频前置放大电路。

3. 电源管理:在电源管理和负载切换电路中,该晶体管可作为控制通断的开关使用,适用于电池供电设备或低功耗系统。

4. 接口电路:用于微控制器或逻辑电路与外部高电压/高电流设备之间的接口隔离与驱动。

5. 消费类电子产品:如手机、平板电脑、智能穿戴设备等,用于各类控制与信号处理功能。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局,且成本较低,适合大批量应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 1A 18V SOT23-3两极晶体管 - BJT 18V 300mW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT123S-7-F-

数据手册

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产品型号

MMBT123S-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 30mA,300mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 100mA,1V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBT123S-FDICT

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

18V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

800

直流集电极/BaseGainhfeMin

150

系列

MMBT123S

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

18 V

集电极—基极电压VCBO

45 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

100MHz

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