Datasheet下载- 型号： ZTX694B
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX694B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX694B价格参考。Diodes Inc.ZTX694B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZTX694B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZTX694B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZTX694B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号因其出色的电气特性，适用于多种电子电路设计场景。以下是 ZTX694B 的主要应用场景： 1. 开关应用 ZTX694B 可用作电子开关，广泛应用于数字电路中。它能够快速切换通断状态，适合驱动继电器、小型电机、LED 或其他低功率负载。 2. 信号放大 作为一款高性能的 NPN 晶体管，ZTX694B 能够用于音频或射频信号的放大。其高增益特性使其成为前置放大器或中间级放大器的理想选择。 3. 电源管理 在电源管理领域，ZTX694B 可用于线性稳压器或电流调节电路中。例如，在恒流源电路中，它可以精确控制通过负载的电流。 4. 驱动电路 ZTX694B 能够驱动各种小型设备，如步进电机、电磁阀或光学传感器。它的高电流承载能力（集电极电流可达 8A）确保了稳定可靠的性能。 5. 保护电路 在过流保护或短路保护电路中，ZTX694B 可以作为关键元件之一，用于检测异常电流并触发保护机制。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制 ZTX694B 支持 PWM 信号的处理，可用于 LED 调光、直流电机速度控制或其他需要脉宽调制的应用。 7. 高频应用 尽管 ZTX694B 更常用于低频电路，但其较高的过渡频率（fT）也使其能够在某些高频场景下工作，例如 AM 调制解调或简单的射频电路。 总之，ZTX694B 凭借其高增益、大电流和稳定性，非常适合用于中小功率的模拟和数字电路中，是许多电子项目中的理想选择。在具体应用时，需根据实际需求合理设计外围电路，并注意散热和电气参数匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HG 120V 500MA E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Super E-Line |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX694B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZTX694B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，400mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 400 @ 200mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 at 100 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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