Datasheet下载- 型号： AFT05MS031GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT05MS031GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT05MS031GNR1价格参考￥74.21-￥127.47。Freescale SemiconductorAFT05MS031GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT05MS031GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT05MS031GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的AFT05MS031GNR1是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频信号处理领域。以下是其典型的应用场景： 1. 射频功率放大器：该型号适合用于设计射频功率放大器，广泛应用于无线通信设备中，如基站、无线电发射机和卫星通信系统。它能够高效地放大高频信号，确保信号传输的稳定性和可靠性。 2. 雷达系统：在军事和民用雷达系统中，AFT05MS031GNR1可用于信号的发射和接收阶段，提供高增益和低噪声性能，从而提高雷达的探测精度和距离。 3. 无线通信设备：包括蜂窝网络基础设施（如4G/5G基站）、对讲机和其他无线通信终端。其优异的射频性能使其能够在高频段实现高效的信号处理。 4. 工业、科学和医疗（ISM）应用：例如微波加热设备、无线能量传输系统以及医疗成像设备中的射频模块。这些应用场景需要高性能的射频器件来实现精确控制和高效能量转换。 5. 测试与测量仪器：在射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，这款晶体管可以用来生成或处理高频信号，确保测量结果的准确性。 6. 业余无线电：对于无线电爱好者来说，AFT05MS031GNR1可以用作自制射频电路的核心元件，支持实验和创新设计。 总结而言，AFT05MS031GNR1凭借其卓越的射频性能，适用于各种需要高频信号处理的场合，特别是在通信、雷达和工业领域中发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF 13.6V 520MHZ TO270-2G |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT05MS031GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.7dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 136MHz ~ 520MHz |
| 额定电流 | - |
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