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  • 型号: MRFE6VP5300NR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5300NR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5300NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5300NR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRFE6VP5300NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRFE6VP5300NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRFE6VP5300NR1 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类型,并且专为射频(RF)应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - MRFE6VP5300NR1 是一款高性能的 LDMOS(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)射频功率晶体管,广泛用于射频功率放大器的设计。
   - 它适用于高频通信系统中的功率放大阶段,例如基站、无线电通信设备和雷达系统。

 2. 无线通信基础设施
   - 该晶体管常用于蜂窝基站、WiMAX 和其他无线通信系统的功率放大器中。
   - 其高效率和高增益特性使其非常适合需要大功率输出的应用场景。

 3. 广播系统
   - 在 AM/FM 广播发射机中,MRFE6VP5300NR1 可用作功率放大器的核心组件,提供稳定的射频信号输出。
   - 它支持高频率范围,能够满足广播行业对高质量信号传输的需求。

 4. 航空航天与国防
   - 该型号的晶体管可用于雷达系统、卫星通信和电子战设备中。
   - 其出色的线性度和可靠性使其成为国防和航空航天领域的重要选择。

 5. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段的应用中,如工业加热、等离子体生成和医疗设备(如磁共振成像 MRI),MRFE6VP5300NR1 提供了高效的射频能量转换。

 6. 测试与测量设备
   - 射频信号发生器、频谱分析仪和其他测试设备中可能使用该晶体管来产生或放大射频信号。
   - 它的稳定性和宽频带性能有助于提高测试设备的精度和可靠性。

 总结
MRFE6VP5300NR1 主要应用于需要高功率、高效率和宽频带射频信号处理的场景。其卓越的性能使其成为通信、广播、国防和工业领域的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF LDMOS 300W TO-270

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRFE6VP5300NR1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-270 WB-4

其它名称

MRFE6VP5300NR1DKR

功率-输出

300W

包装

Digi-Reel®

噪声系数

-

增益

27dB

封装/外壳

TO-270AB

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

1

电压-测试

50V

电压-额定

133V

电流-测试

100mA

频率

230MHz

额定电流

-

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