Datasheet下载- 型号： BLF6G22LS-130,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-130,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-130,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-130,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22LS-130,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-130,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G22LS-130,118 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的无线通信系统。该器件工作频率范围覆盖从DC到约1.3 GHz，特别适用于UHF电视广播、工业加热、射频能量应用以及陆地移动通信（如公共安全通信和专业对讲系统）等场景。 BLF6G22LS-130,118采用先进的LDMOS技术，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，能够在高输出功率下保持可靠运行。其连续波（CW）输出功率可达130瓦，适合需要长时间稳定工作的应用。此外，该器件集成片内匹配网络，简化了电路设计，提高了系统集成度和可靠性。 在广播领域，它广泛用于数字电视（DTV）发射机中，支持ATSC、DVB-T/T2等标准；在工业、科学和医疗（ISM）频段中，可用于感应加热、等离子发生和射频激励设备。由于其良好的线性度和宽带性能，也适用于多载波通信系统中的基站功率放大器。 总之，BLF6G22LS-130,118是一款面向高功率射频应用的可靠器件，适用于广播传输、专业通信和工业射频能量系统，满足严苛环境下的性能需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION DRIVER SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22LS-130,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934060923118 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 34A |
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