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  • 型号: AFT09MS031NR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT09MS031NR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT09MS031NR1价格参考。Freescale SemiconductorAFT09MS031NR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AFT09MS031NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AFT09MS031NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 AFT09MS031NR1 是一款高性能射频MOSFET器件,属于晶体管中的射频场效应管(RF FET),主要用于工作频率在VHF至UHF频段的无线通信系统。该器件基于LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)技术,具备高功率密度、优异的线性度和良好的热稳定性,适用于对信号质量和输出功率要求较高的场景。

AFT09MS031NR1 典型应用场景包括:陆地移动无线电(如公共安全通信、应急通信系统)、广播发射设备(如FM无线电广播发射机)、工业、科学和医疗(ISM)频段设备,以及专业射频放大器模块。其工作频率范围适合900MHz左右频段,因此也广泛用于部分蜂窝通信基础设施,如小基站或中继系统中的射频功率放大级。

此外,该器件采用紧凑的封装设计,便于集成到空间受限的射频电路中,同时支持高效率和高可靠性运行,适合长时间连续工作的工业环境。由于其出色的互调性能和增益一致性,特别适用于需要高质量语音和数据传输的双向通信系统。

总之,AFT09MS031NR1 主要应用于专业级射频通信系统中,尤其在移动通信、广播和专用无线网络领域具有重要价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

RF FET 40V 870MHZ TO-270-2

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

AFT09MS031NR1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-270-2

其它名称

AFT09MS031NR1DKR

功率-输出

36W

包装

Digi-Reel®

噪声系数

-

增益

17.2dB

封装/外壳

TO-270AA

晶体管类型

LDMOS

标准包装

1

电压-测试

13.6V

电压-额定

40V

电流-测试

500mA

频率

870MHz

额定电流

-

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