Datasheet下载- 型号： VRF151G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VRF151G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VRF151G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.VRF151G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VRF151G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VRF151G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VRF151G 是 Microchip Technology（原收购自Teledyne Microwave Solutions）推出的高性能N沟道硅双扩散（VDMOS）射频功率MOSFET，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为DC–225 MHz，连续波（CW）输出功率可达150 W（在175 MHz下），具备高增益（典型13 dB）、高效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： - 业余无线电与短波通信发射机：用于HF/VHF频段（如1.8–175 MHz）末级功率放大，支持SSB、AM、FM等调制方式； - 工业与科研射频源：如等离子体发生器、感应加热电源、MRI射频激励模块中的宽带功率放大级； - 军用/航空通信系统：适用于战术电台、电子对抗（ECM）和雷达激励级等对可靠性和抗冲击性要求严苛的环境； - 广播设备：中波（MW）及短波（SW）广播发射机的低阶功率放大模块（常以推挽或AB类配置使用）。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-223改良型），内置源极接地引脚，便于PCB散热设计，并支持并联使用以提升功率容量。需配合匹配网络、稳定偏置电路及充分散热（建议使用≥0.15°C/W热阻散热器）以确保长期可靠运行。注意：不适用于开关电源或数字开关场景，仅限线性射频放大用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11465-vrf151g-g-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VRF151G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | M208 |
| 其它名称 | VRF151GMP |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 170V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 175MHz |
| 额定电流 | 36A |
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