Datasheet下载- 型号： BLS6G2735LS-30,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2735LS-30,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2735LS-30,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2735LS-30,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2735LS-30,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2735LS-30,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLS6G2735LS-30,112 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，适用于高功率射频应用。该器件常用于广播、通信和工业领域，特别是在需要高效率和高稳定性的射频功率放大系统中。典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和数字音频广播（DAB）发射系统中的射频功率放大，提供高线性度和效率，确保信号传输质量。 2. 无线通信基础设施：如蜂窝基站和微波回传系统，用于放大射频信号，支持 4G/5G 等通信标准，满足高数据速率和覆盖范围需求。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器和医疗治疗设备中的功率控制与放大模块。 4. 测试与测量设备：用于射频信号发生器和功率放大器模块，提供稳定和可重复的测试环境。 该器件具备高功率密度、优良的热稳定性和耐用性，适合在复杂电磁环境和高要求工业条件下长期运行。其封装设计支持良好的散热性能，有助于提高系统整体可靠性和效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR ACC-2 SOT1135 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G2735LS-30,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-9932-5 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-1135B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.5GHz |
| 额定电流 | - |
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