Datasheet下载- 型号： BLF7G20L-90P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20L-90P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20L-90P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20L-90P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G20L-90P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20L-90P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF7G20L-90P,118 是一款高功率射频 MOSFET 晶体管，主要用于射频功率放大器的设计。该器件适用于工作频率在 UHF 到微波频段的应用，具有高效率、高增益和良好的热稳定性的特点。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、4G/5G 通信系统中的射频功率放大器，适用于需要高线性度和高稳定性的场景。 2. 广播系统：用于调频广播（FM）、数字音频广播（DAB）和电视广播发射机中的射频功率放大模块。 3. 工业与医疗设备：如磁共振成像（MRI）系统中的射频发生器、工业加热设备等需要高功率射频源的装置。 4. 测试与测量设备：用于射频信号发生器、功率放大器模块等测试仪器中，支持通信、航空航天和国防领域的射频测试需求。 5. 雷达与国防应用：适用于需要高可靠性和高输出功率的雷达系统、电子战设备和通信中继设备。 该器件采用先进的硅工艺制造，支持高电压操作（典型漏极电压为90V），具备良好的耐用性和适应复杂工作环境的能力，适合高功率密度设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G20L-90P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064087118 |
| 功率-输出 | 84W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 18A |
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