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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 MW6S010GMR1 是一款高性能射频MOSFET器件,属于晶体管中的射频功率场效应管(RF MOSFET),广泛应用于高频、高功率的无线通信系统中。该器件基于氮化镓(GaN)技术,具备高效率、高增益和出色的热稳定性,适用于L波段至S波段的频率范围。 其主要应用场景包括:雷达系统,特别是军用和航空领域的相控阵雷达,因其高输出功率和快速响应能力;地面和机载通信系统,用于增强信号传输距离与可靠性;卫星通信(SATCOM)地面站设备,支持宽带数据传输;以及电子战(EW)系统,用于干扰对抗和信号侦测等任务。 此外,MW6S010GMR1也适用于工业与国防领域的高功率放大器设计,可在严苛环境下稳定工作,满足对可靠性和耐久性要求较高的应用需求。其封装形式有利于高效散热,适合连续波(CW)和脉冲工作模式,是现代高性能射频系统中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MW6S010GMR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 125mA |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 10µA |