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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE552R679A-T1A-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE552R679A-T1A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE552R679A-T1A-A价格参考。CELNE552R679A-T1A-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE552R679A-T1A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE552R679A-T1A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL品牌的NE552R679A-T1A-A是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）信号处理领域。该器件常用于无线通信系统中的射频放大器、混频器、开关电路等关键模块。 具体应用场景包括： 1. 无线基站：用于射频前端的低噪声放大或功率放大，提升信号接收灵敏度和传输效率； 2. 射频测试设备：作为信号调节或放大元件，用于测量和分析射频信号； 3. 微波通信系统：在点对点微波通信中用作高频信号放大器； 4. 工业控制与传感器：用于射频识别（RFID）、无线传感网络等场景中的信号发射或接收； 5. 消费类电子产品：如高端Wi-Fi模块、蓝牙设备中对射频性能要求较高的部分。 其优势在于工作频率高、噪声系数低、线性度好，适合需要稳定高频性能的应用场合。由于采用小封装设计，也适用于空间受限的高密度电路布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE552R679A-T1A-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 28dbm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 460MHz |
| 额定电流 | 350mA |
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