Datasheet下载- 型号： MRF6V3090NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V3090NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V3090NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V3090NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V3090NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V3090NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的MRF6V3090NBR1是一款射频（RF）功率MOSFET晶体管，主要用于高频信号放大和处理领域。以下是其典型应用场景： 1. 射频功率放大器：该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器，如基站、中继站和其他高功率射频设备。它能够在高频条件下提供高效的功率输出。 2. 工业、科学和医疗（ISM）应用：在ISM频段内，这款MOSFET可用于各种设备，例如无线电频率加热装置、等离子体发生器以及医用成像设备等。 3. 广播发射机：用于调幅（AM）、调频（FM）或数字音频广播（DAB）系统的发射机中，作为功率放大级的核心元件。 4. 航空与国防：支持雷达系统、卫星通信链路及电子对抗设备中的高性能射频信号传输与放大功能。 5. 测试与测量仪器：为高端测试设备提供稳定可靠的射频信号源，确保精确度和可靠性。 由于其优异的电气特性和热性能，MRF6V3090NBR1能够在苛刻的工作环境下保持良好的表现，满足现代通信和技术对高效能射频组件的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6V3090NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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