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产品简介:
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MRF1550FNT1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管,属于高功率、高频应用的场效应管,广泛用于射频功率放大器电路中。该器件特别适用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段,常见工作频率范围可达数十MHz至数百MHz,具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括:广播电视发射设备中的射频功率放大级,用于FM广播或电视信号的发射;公共安全通信系统,如警察、消防、急救等使用的陆地移动无线电(LMR)基站;工业、科学和医疗(ISM)频段设备,例如射频加热、等离子发生器和医疗射频治疗仪;以及民用与军用高频通信系统中的线性功率放大。 MRF1550FNT1采用紧凑的表面贴装封装(SOT-1224),具有优异的散热性能和可靠性,适合在高温、高负荷环境下长期运行。其高输出功率能力(可达数百瓦)和良好的互调失真特性,使其在需要高保真信号放大的场景中表现出色。此外,该器件支持宽带操作,适应多信道或多频段系统设计需求。 综上,MRF1550FNT1适用于对射频输出功率、效率和稳定性要求较高的专业无线通信与工业射频设备中,是高性能射频放大模块的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF1550FNT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-6 绕接 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 175MHz |
| 额定电流 | 12A |