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  • 型号: BLF8G20LS-200V,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G20LS-200V,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G20LS-200V,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G20LS-200V,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF8G20LS-200V,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF8G20LS-200V,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF8G20LS-200V,118 是一款射频功率晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件专为高频和高功率射频应用设计,具有以下典型应用场景:

 1. 无线通信系统
   - 基站放大器:用于蜂窝通信基站的射频功率放大器中,支持多种通信标准(如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE)。
   - 中继站:在射频信号中继系统中提供高效率的功率放大。
   - 微波链路:用于点对点或点对多点微波通信系统中的射频信号放大。

 2. 雷达系统
   - 脉冲雷达:用于气象雷达、空中交通管制雷达和军事雷达等,提供高功率射频输出。
   - 连续波雷达:在目标跟踪和测速雷达中实现稳定的射频信号发射。

 3. 广播系统
   - 调频广播(FM):用于广播电台的射频功率放大器,确保覆盖范围内的信号强度。
   - 数字音频广播(DAB):支持数字广播技术的高效射频信号传输。

 4. 工业、科学与医疗(ISM)领域
   - 射频加热设备:如工业用射频加热器或塑料焊接机。
   - 等离子体发生器:用于材料处理、表面涂层和化学气相沉积等领域。
   - 医疗设备:如射频消融设备,用于治疗肿瘤或心脏疾病。

 5. 测试与测量设备
   - 信号源和功率放大器:用于实验室环境下的射频信号生成和放大。
   - 电磁兼容性(EMC)测试:作为干扰信号源,用于评估电子设备的抗干扰能力。

 6. 航空航天与国防
   - 卫星通信:用于地面站的射频功率放大器,支持卫星信号的上行链路。
   - 电子战系统:用于干扰敌方通信或雷达系统的高功率射频发射。

 特性优势
- 高功率输出:适合需要大功率射频信号的应用场景。
- 宽频带支持:能够覆盖多种频率范围,适应不同通信标准。
- 高效率:降低能耗,减少散热需求。
- 可靠性强:能够在恶劣环境下稳定工作,满足工业和军工要求。

总结来说,BLF8G20LS-200V,118 主要应用于需要高功率射频信号放大的领域,包括通信、雷达、广播、工业和国防等。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLF8G20LS-200V,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CDFM6

其它名称

934066525118

功率-输出

55W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

17.5dB

封装/外壳

SOT-1120B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.6A

频率

1.8GHz ~ 1.88GHz

额定电流

-

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