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- 型号： BLF6G10-160RN,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10-160RN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10-160RN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10-160RN,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10-160RN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10-160RN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G10-160RN,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS技术，工作频率范围宽，典型应用于470MHz至860MHz频段，适用于地面数字电视（DTV）广播发射系统、工业加热设备以及射频能量应用等场景。 BLF6G10-160RN,112 具有高增益、高效率和出色的热稳定性，能够在高电压（通常为50V）条件下提供高达160W的连续波（CW）输出功率，因此特别适合需要大功率、高可靠性的广播发射机。其紧凑的封装设计支持高效的散热管理，适用于推挽或单端放大器拓扑结构，广泛用于DVB-T、ATSC等数字电视发射系统中作为末级功率放大器。 此外，该器件也适用于ISM频段（工业、科学和医疗）中的射频能量应用，如介质加热、等离子体生成等工业领域。其高耐用性和对驻波比（VSWR）失配的良好耐受能力，使其在复杂负载环境下仍能稳定运行，提升了系统整体可靠性。 综上所述，BLF6G10-160RN,112 主要应用于数字电视广播发射机、工业射频加热设备及高功率射频放大系统，适用于对输出功率、效率和稳定性要求较高的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10-160RN,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8635 |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | 39A |
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