Datasheet下载- 型号： BLF7G20LS-90P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-90P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-90P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-90P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G20LS-90P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20LS-90P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G20LS-90P,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。这款器件专为高频和高功率应用设计，广泛应用于射频功率放大器领域。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信系统：该器件适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。它能够提供高效率和高增益，满足现代通信系统对信号强度和稳定性的要求。 2. 广播系统：在 AM/FM 广播领域，BLF7G20LS-90P,118 可用于驱动和最终功率放大级，确保广播信号的覆盖范围和质量。 3. 工业、科学和医疗（ISM）应用：该器件适合用于 ISM 频段内的设备，如微波加热、等离子体生成和射频焊接机等，这些应用需要稳定的高功率射频输出。 4. 航空与国防：在雷达、导航和军事通信系统中，这款 MOSFET 可以实现高效的射频信号放大，支持长距离传输和高精度操作。 5. 测试与测量设备：在实验室环境中，BLF7G20LS-90P,118 可用于射频信号发生器和分析仪中，提供精确的功率输出以测试其他电子设备的性能。 这款器件具有良好的线性度和耐热性能，能够在苛刻的工作条件下保持稳定运行。其高功率处理能力和宽频率范围使其成为许多高性能射频应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF7G20LS-90P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064344118 |
| 功率-输出 | 84W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 18A |
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