Datasheet下载- 型号： NE3514S02-T1C-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3514S02-T1C-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3514S02-T1C-A价格参考。CELNE3514S02-T1C-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3514S02-T1C-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3514S02-T1C-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL品牌的NE3514S02-T1C-A是一款射频场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频信号放大和射频电路中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 无线通信设备：该器件适用于各类无线通信系统，如蜂窝基站、微波通信、Wi-Fi及蓝牙模块等，作为射频功率放大器使用，具有良好的高频响应和稳定性。 2. 射频识别（RFID）系统：可用于RFID读写器中的信号增强，提高识别距离与可靠性。 3. 测试与测量仪器：在射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中作为放大元件，确保信号的高保真传输。 4. 广播与电视发射设备：适用于低功率射频发射装置，用于音频或视频信号的调制与放大。 5. 工业控制与传感器系统：在需要高频信号处理的工业自动化系统中，提供稳定的射频信号放大功能。 该器件采用小型封装，便于集成于紧凑型电子设备中，适合表面贴装工艺，具备较高的可靠性和耐用性。适用于工作频率较高、功率要求适中的射频应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE3514S02-T1C-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | S02 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.75dB |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 20GHz |
| 额定电流 | 70mA |
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