Datasheet下载- 型号： BLP25M710Z
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP25M710Z由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP25M710Z价格参考。NXP SemiconductorsBLP25M710Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP25M710Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP25M710Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP25M710Z 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要用于高效率、高功率的射频放大应用。该器件基于先进的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，适用于 700–1000 MHz 频率范围，具备出色的功率增益和热稳定性。 其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、等离子体生成、射频消融设备以及介质加热等。此外，BLP25M710Z 也广泛用于广播发射机中的射频功率放大级，特别是在 UHF 电视发射系统中，支持高能效的模拟与数字信号放大。由于其在高电压和高电流条件下仍能保持稳定性能，该器件还适用于需要连续波（CW）或高脉冲功率输出的工业射频电源。 BLP25M710Z 采用紧凑的陶瓷封装，具有良好的散热性能和高可靠性，适合在严苛环境下的长期运行。其设计便于阻抗匹配，简化了射频电路布局，提升了系统整体效率。总体而言，该器件适用于对功率密度、效率和可靠性要求较高的中高频射频功率应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS LDMOS 12HVSON |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP25M710Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-HVSON（6x4） |
| 其它名称 | 934067581515 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.9dB |
| 封装/外壳 | 12-VDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 110mA |
| 频率 | 10MHz ~ 2.5GHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BLP25M710Z 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商