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型号： PTFA181001GL V1 R250
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA181001GL V1 R250由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA181001GL V1 R250价格参考。InfineonPTFA181001GL V1 R250封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PTFA181001GL V1 R250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA181001GL V1 R250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的PTFA181001GL V1 R250是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件适用于1.8 GHz至10 GHz的宽频带范围，具备高线性度和高效率，适合用于基站、通信基础设施、工业和商业射频设备等应用场景。

具体应用包括：

1. 蜂窝通信基站：用于4G LTE和5G NR基站中的射频功率放大器，支持多频段和多标准通信。
2. 无线基础设施：如微波回传系统、无线接入网络（WAN）设备等。
3. 广播与传输设备：如数字广播发射机和高功率射频信号放大系统。
4. 测试与测量设备：用于射频信号发生器、功率放大器模块等。
5. 军事与航空航天：在雷达、卫星通信和高可靠性通信系统中提供稳定射频功率输出。

该器件采用高热效率封装，具备良好的散热性能，适用于需要高稳定性和高功率密度的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
产品分类	RF FET
品牌	Infineon Technologies
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PTFA181001GL V1 R250
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	PG-63248-2
其它名称	SP000465356
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16.5dB
封装/外壳	2-扁平封装，叶片引线
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	750mA
频率	1.88GHz
额定电流	1µA