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  • 型号: MRF6VP3091NBR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP3091NBR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP3091NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP3091NBR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6VP3091NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6VP3091NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF6VP3091NBR1 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,特别针对射频(RF)应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该器件适用于高效率的射频功率放大器设计,主要用于无线通信系统中的信号增强。
   - 典型应用包括基站、中继站和无线电通信设备。

 2. 蜂窝通信基础设施
   - 在蜂窝网络中,用于提升信号覆盖范围和质量。
   - 支持多种通信标准,如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和未来的 5G 网络。

 3. 广播系统
   - 应用于 FM/AM 广播发射机,提供高效的功率输出以覆盖更大的区域。
   - 提供稳定的性能和低失真特性。

 4. 航空航天与国防
   - 用于雷达系统、卫星通信和军用无线电设备。
   - 高可靠性设计使其能够在极端条件下运行。

 5. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段内,用于无线能量传输、等离子体生成和医疗成像设备。
   - 提供高功率输出和稳定性。

 6. 测试与测量设备
   - 作为信号源或功率放大器组件,用于射频测试仪器。
   - 支持精确的信号生成和分析。

 性能特点:
- 高功率处理能力:适合需要大功率输出的应用场景。
- 宽频率范围:覆盖多个射频频段,适应多样化需求。
- 高效率和低失真:优化了能源利用率并减少了信号干扰。

综上所述,MRF6VP3091NBR1 是一款专为高性能射频应用设计的 MOSFET,广泛应用于通信、广播、国防以及工业领域,能够满足对功率、效率和稳定性的严格要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF 50V 350MA TO272-4

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF6VP3091NBR1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-272 WB-4

功率-输出

18W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

22dB

封装/外壳

TO-272BB

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

500

电压-测试

50V

电压-额定

115V

电流-测试

350mA

频率

860MHz

额定电流

-

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