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Datasheet下载- 型号： PD85025C
- 制造商： STMicroelectronics
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PD85025C产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85025C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85025C价格参考。STMicroelectronicsPD85025C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 13.6V 300mA 945MHz 17.5dB 10W M243。您可以下载PD85025C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85025C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85025C是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。其典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：用于基站、无线接入点等设备中的射频功率放大器，支持如GSM、WCDMA、LTE等多种通信标准。 2. 广播设备：适用于调频（FM）或数字音频广播（DAB）发射系统，提供高效率和稳定性的射频输出。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体生成、医疗治疗设备中的功率控制模块。 4. 测试与测量仪器：作为射频信号放大模块，用于信号发生器或频谱分析仪等设备中。 该器件具有高增益、低失真和良好热稳定性的特点，适合在高频段（如VHF、UHF）下工作，广泛用于需要可靠射频功率输出的工业和通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF N-CH LDMOST M243 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85025C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-12512 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF179621?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | M243 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 7A |
