Datasheet下载- 型号： MRF8P29300HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P29300HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P29300HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P29300HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P29300HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P29300HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P29300HSR6是NXP USA Inc.推出的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，主要应用于高频、高功率的射频放大场景。该器件工作频率范围覆盖DC至2.9 GHz，输出功率可达300W，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于严苛环境下的连续波（CW）和脉冲信号放大。 典型应用场景包括：民用和军用雷达系统，用于增强目标探测与跟踪能力；航空通信与电子战系统，提供可靠的高频信号放大支持；工业加热与医疗射频能量设备，如等离子体发生器和肿瘤消融仪；以及广播发射机中的高功率射频放大环节，尤其在UHF电视和FM广播发射系统中表现优异。 此外，MRF8P29300HSR6采用坚固的陶瓷封装（SOT1220-1），具备出色的散热性能和可靠性，适合在高温、高振动等恶劣条件下长期运行。其集成的静电放电（ESD）保护功能也提升了系统安全性。该器件广泛用于需要高功率密度和稳定射频输出的专业领域，是现代高要求无线通信和功率电子系统中的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P29300HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 320W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.3dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.9GHz |
| 额定电流 | - |
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