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  • 型号: VMMK-1218-BLKG
  • 制造商: Avago Technologies
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VMMK-1218-BLKG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1218-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1218-BLKG价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1218-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 3V 20mA 10GHz 9dB 12dBm 402。您可以下载VMMK-1218-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMMK-1218-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Broadcom Limited生产的型号为VMMK-1218-BLKG的晶体管,属于FET(场效应晶体管)中的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且专门针对射频(RF)应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频信号放大
   - 该器件适用于低噪声放大器(LNA)的设计,用于增强微弱的射频信号。其高增益和低噪声性能使其非常适合无线通信设备中的前端模块。
   - 在基站、卫星通信或雷达系统中,可以用来提升接收信号的质量。

 2. 射频开关
   - VMMK-1218-BLKG可用于射频开关电路,实现多频段或多模式切换功能。例如,在智能手机或物联网设备中,它可以帮助切换不同的通信频段(如2G、3G、4G、5G)。
   - 其快速开关特性和低插入损耗特性,使其成为高性能射频开关的理想选择。

 3. 无线通信设备
   - 广泛应用于无线通信领域,包括蜂窝网络设备、Wi-Fi路由器、蓝牙模块等。在这些设备中,该器件可作为功率放大器的一部分,提高信号传输距离和质量。
   - 在小型化和便携式设备中,其紧凑封装和高效性能尤为突出。

 4. 航空航天与国防
   - 在雷达系统、卫星通信和导航设备中,该MOSFET可用于信号处理和放大。其高可靠性和稳定性满足了航空航天和国防领域对高性能射频组件的需求。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器(如频谱分析仪、信号发生器)中,该器件可用于构建精密的射频信号链路,确保测量结果的准确性和可靠性。

 6. 工业与医疗应用
   - 在工业自动化设备中,用于射频识别(RFID)读写器或非接触式传感器的信号处理。
   - 在医疗设备中,可用于超声波成像或其他需要高频信号处理的应用。

总结来说,VMMK-1218-BLKG是一款专为射频应用设计的高性能MOSFET,广泛应用于通信、国防、医疗和工业等领域,能够显著提升射频系统的性能和效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

AMP RFIC LNA E-PHEMT 18GHZ 0402射频JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies VMMK-1218-BLKG-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-1081EN

P1dB

12 dBm

产品型号

VMMK-1218-BLKG

Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

0402

其它名称

516-2214
VMMK-1218-BLKG-ND
VMMK1218BLKG

功率-输出

12dBm

功率耗散

300 mW

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.81dB

增益

9dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

0402(1005 公制)

封装/箱体

WLP 0402

工厂包装数量

100

技术

GaAs

晶体管类型

E-pHEMT

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

200 mS

漏极连续电流

100 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

3V

电压-额定

5V

电流-测试

20mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

10GHz

额定电流

100mA

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