Datasheet下载- 型号： BLF7G15LS-200,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G15LS-200,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G15LS-200,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G15LS-200,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G15LS-200,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G15LS-200,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G15LS-200,112 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件工作频率范围宽，适用于从HF到UHF频段的多种射频放大应用。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）或数字音频广播（DAB）等广播发射系统中，作为高效功率放大器的核心元件。 2. 工业加热设备：在感应加热、介质加热等工业应用中，提供高稳定性和高效率的射频能量输出。 3. 医疗设备：如射频消融设备中，用于精准控制和传输射频能量。 4. 测试与测量设备：作为高功率射频信号源或放大模块，广泛用于通信设备测试、电磁兼容性（EMC）测试等领域。 5. 无线通信基础设施：支持蜂窝通信基站、宽带无线接入系统中的射频功率放大需求，尤其适合要求高线性度和效率的现代通信标准。 该器件具有高增益、低失真和良好的热稳定性，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，是多种高功率射频系统设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G15LS-200,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064634112 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| 额定电流 | 56A |
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