Datasheet下载- 型号： BLF6G22-45,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22-45,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22-45,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件工作频率可达 2.2 GHz，具备 450W 的高输出功率能力，具有优异的功率增益和效率表现，适用于需要稳定、高效射频放大的场景。 其典型应用场景包括： 1. 广播发射系统：用于 FM 广播发射机中的末级功率放大，支持高保真音频信号的远距离传输。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：在 2.4 GHz 左右频段工作的感应加热、等离子发生器、射频消融设备中提供稳定射频能量输出。 3. 无线通信基础设施：应用于陆地移动无线电（LMR）和公共安全通信基站，支持高可靠性语音与数据传输。 4. 雷达与电子战系统：适用于脉冲或连续波雷达中的射频功率放大模块，具备良好的瞬态响应和热稳定性。 BLF6G22-45,112 采用坚固的陶瓷封装，具有优良的散热性能和高可靠性，适合在严苛环境条件下长期运行。其设计兼容高驻波比（VSWR）耐受能力，增强了在复杂负载条件下的工作稳定性。该器件常用于需要高效率、高线性度和高可靠性的射频功率放大场合，是现代射频系统中关键的核心元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION DRIVER SOT608A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G22-45,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934060066112 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 405mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 1.5µA |
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