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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHR7由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHR7价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHR7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6VP41KHR7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6VP41KHR7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6VP41KHR7 是一款高功率射频MOSFET晶体管,属于射频功率放大器器件,广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率可达500 MHz以下,输出功率高达120瓦,具备良好的热稳定性和高增益性能,适用于VHF和UHF频段。 其主要应用场景包括:民用及专业移动通信基站,如公共安全通信(警察、消防、急救等)使用的陆地移动无线系统(LMR);工业、科学和医疗(ISM)频段设备;以及广播通信系统中的高功率射频放大模块。此外,MRF6VP41KHR7也常用于航空通信、军事通信和应急通信系统,在恶劣环境条件下仍能保持稳定性能。 该器件采用先进的高压工艺制造,具有较高的抗驻波比(VSWR)能力,能够在负载失配情况下可靠运行,提升了系统整体的鲁棒性。其封装形式为高性能陶瓷封装(SOT-980A),散热性能优异,适合长时间高负荷工作。 综上所述,MRF6VP41KHR7主要面向需要高可靠性、高输出功率和稳定射频性能的专业通信领域,是关键基础设施和关键任务通信系统中的核心射频放大元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP41KHR7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRF6VP41KHR7DKR |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 5mA |