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型号： BLF7G22LS-250P,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-250P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-250P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-250P,118封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G22LS-250P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22LS-250P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G22LS-250P,118 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。这款器件专为高频射频应用设计，具有高功率输出、高增益和高效率的特性。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 广播通信
   - 适用于 AM/FM 广播发射机，提供稳定的射频功率输出。
   - 可用于中波和短波广播系统，满足高频率范围内的功率放大需求。

 2. 无线通信
   - 在蜂窝基站（如 GSM、CDMA、LTE 等）中作为射频功率放大器的核心组件。
   - 支持点对点微波通信链路中的信号放大。

 3. 雷达系统
   - 用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他类型的脉冲或连续波雷达系统。
   - 提供高功率射频输出以增强探测距离和精度。

 4. 工业、科学与医疗（ISM）领域
   - 在工业加热、等离子体生成和材料处理设备中，用于射频能量的高效传输。
   - 医疗设备中的射频治疗仪器可能也需要此类高性能功率晶体管。

 5. 测试与测量设备
   - 集成到信号发生器、频谱分析仪或其他射频测试设备中，用于产生精确可控的射频信号。

 技术特点支持的应用优势：
   - 高功率密度：能够在较宽的工作频率范围内提供稳定的功率输出。
   - 高效率：减少能源消耗和热量产生，延长设备使用寿命。
   - 优异的线性度：确保信号失真最小化，适合对信号质量要求较高的场景。

综上所述，BLF7G22LS-250P,118 主要应用于需要高功率射频信号放大的场合，包括广播、通信、雷达、ISM 和测试测量等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS SOT539B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G22LS-250P,118
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM4
其它名称	934064691118
功率-输出	70W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT539B
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	2.16A
频率	2GHz ~ 2.2GHz
额定电流	-