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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1218-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1218-TR1G价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1218-TR1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VMMK-1218-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMMK-1218-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的型号为VMMK-1218-TR1G的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,并专注于射频(RF)应用。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器 - VMMK-1218-TR1G适用于射频信号放大,特别是在无线通信设备中。它能够提供高增益和低噪声性能,适合用于基站、无线接入点以及射频模块中的功率放大器设计。 2. 低噪声放大器 (LNA) - 在接收端电路中,该器件可作为低噪声放大器的核心组件。其低噪声特性有助于提高信号质量,减少信号失真,特别适用于卫星通信、雷达系统和无线传感器网络。 3. 射频开关 - 该MOSFET可用于射频开关设计,支持高频信号的快速切换。其优异的开关速度和低插入损耗使其成为手机、物联网设备和其他便携式电子产品的理想选择。 4. 无线通信设备 - 包括Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离无线通信技术中,VMMK-1218-TR1G可以优化信号传输效率,提升数据速率和覆盖范围。 5. 射频滤波与调制解调 - 在射频前端模块中,该器件可用于滤波和调制解调电路,确保信号的纯净性和稳定性,广泛应用于广播电视、对讲机和无线电收发器。 6. 航空航天与国防 - 由于其高性能和可靠性,该型号也适用于航空航天领域的导航系统、卫星通信以及军事雷达设备。 7. 测试与测量仪器 - 在射频测试仪器(如频谱分析仪、网络分析仪)中,VMMK-1218-TR1G可用于构建高精度的信号处理链路。 总结来说,VMMK-1218-TR1G是一款专为射频应用设计的高性能MOSFET,能够在多种高频场景下提供稳定、高效的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | AMP RFIC LNA E-PHEMT 18GHZ 0402 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1081EN |
产品图片 | |
产品型号 | VMMK-1218-TR1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 0402 |
功率-输出 | 12dBm |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | 0.81dB |
增益 | 9dB |
封装/外壳 | 0402(1005 公制) |
晶体管类型 | E-pHEMT |
标准包装 | 5,000 |
电压-测试 | 3V |
电压-额定 | 5V |
电流-测试 | 20mA |
频率 | 10GHz |
额定电流 | 100mA |