Datasheet下载- 型号： MRF8P20165WHSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20165WHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20165WHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20165WHSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20165WHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20165WHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20165WHSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为2.0–2.2 GHz频段（如2.14 GHz LTE/5G NR n1/n28频段）设计。其典型应用场景包括： - 5G宏基站功率放大器（PA）：适用于Sub-6 GHz 5G大规模MIMO基站的末级功放，支持高平均输出功率（165 W P3dB）、高效率（>55% @ 2.14 GHz, 10 MHz LTE信号）及优异线性度，满足ACLR与EVM严苛要求。 - LTE-A/LTE-Advanced基站发射链路：广泛用于2.1 GHz频段FDD/TDD宏站、微站及远端射频单元（RRU），支持多载波（2×20 MHz）高带宽信号放大。 - 宽带无线接入系统（如WiMAX演进型设备）及公共安全通信基站：具备高可靠性（10年MTTF）、耐受高VSWR（≥10:1）能力，适合户外严苛环境部署。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229），支持强制风冷或液冷散热，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现稳定高效运行。需搭配专用驱动级（如MRF8P20140）及数字预失真（DPD）技术以优化整机性能。 （注：实际应用中须严格遵循NXP官方数据手册、参考设计（如AN11781）及射频布局规范。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20165WHSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 额定电流 | - |
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