Datasheet下载- 型号： MRF8P20165WHSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20165WHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20165WHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20165WHSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20165WHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20165WHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20165WHSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率在UHF（特高频）到微波频段的无线通信系统，如蜂窝基站、广播发射机、工业加热设备以及测试测量仪器等。 该器件具有高功率输出、高效率和良好热稳定性的特点，适合用于需要高可靠性和高线性度的射频放大电路。其封装设计便于散热，支持高功率连续波（CW）或脉冲信号的放大应用。 此外，MRF8P20165WHSR3也适用于数字广播、电视发射、无线基础设施以及专业通信设备中的射频功率放大模块设计。由于其良好的匹配性能和耐用性，广泛受到射频工程师在设计高功率发射系统时的青睐。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20165WHSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 额定电流 | - |
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