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Datasheet下载- 型号： 2SK2854(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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2SK2854(TE12L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2854(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2854(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2854(TE12L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 849MHz 23dBmW PW-MINI。您可以下载2SK2854(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK2854(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的2SK2854(TE12L,F)是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）/MOSFET类别。该型号主要应用于高频和射频领域，具有以下典型应用场景： 1. 射频功率放大器：2SK2854适用于射频通信系统中的功率放大器设计，能够高效放大高频信号，满足无线通信、广播和其他射频应用的需求。 2. 无线电设备：广泛用于业余无线电、短波电台和专业通信设备中，提供稳定的射频性能和高增益输出。 3. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备：在ISM频段内，该晶体管可用于微波炉、无线传感器网络、射频加热设备等，支持高效的能量转换和信号传输。 4. 测试与测量仪器：在射频测试设备中，如信号发生器和频谱分析仪，2SK2854可作为关键组件，确保高精度的射频信号处理能力。 5. 雷达和导航系统：其高频特性和功率处理能力使其适合于雷达发射机和导航系统的射频模块，提供可靠的目标检测和定位功能。 6. 卫星通信：在卫星地面站和卫星通信设备中，该晶体管可用于射频前端模块，实现信号的高效放大和传输。 7. 高频驱动电路：适用于高频驱动场景，例如高频开关电源或谐振电路，提供快速响应和低损耗性能。 总之，2SK2854凭借其优异的射频性能和可靠性，成为射频通信、工业设备及测试测量领域的重要元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET RF N CH 10V 500MA |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK2854(TE12L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 其它名称 | 2SK2854(TE12LF)TR |
| 功率-输出 | 23dBmW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 849MHz |
| 额定电流 | 500mA |
