Datasheet下载- 型号： ATF-33143-TR2G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-33143-TR2G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-33143-TR2G价格参考。Avago TechnologiesATF-33143-TR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-33143-TR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-33143-TR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-33143-TR2G是由Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌电子迁移场效应晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET晶体管类别。该器件专为低噪声、高增益和高线性度的射频应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括：无线基础设施中的蜂窝基站接收前端、微波点对点通信、卫星通信系统、WLAN（如5.8 GHz频段）以及其它高频无线设备。由于具备极低的噪声系数（典型值0.45 dB @ 2.4 GHz）、高增益（约16 dB @ 2.4 GHz）和出色的线性性能，ATF-33143-TR2G非常适合用于接收机的低噪声放大器（LNA）级，以提升信号灵敏度和系统整体性能。 此外，该器件工作电压较低（通常为3V），功耗小，适合对能效要求较高的便携式或紧凑型射频模块。其采用无铅、小型化表面贴装封装（SOT-343），便于高密度PCB布局，适用于空间受限的高频电路设计。 总之，ATF-33143-TR2G凭借优异的高频性能和稳定性，广泛服务于通信、工业与消费类射频系统，尤其在需要高灵敏度和低噪声放大的场景中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1442EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-33143-TR2G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 功率-输出 | 22dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.5dB |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 5.5V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 305mA |
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