Datasheet下载- 型号： PTFA261301F V1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA261301F V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA261301F V1价格参考。InfineonPTFA261301F V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTFA261301F V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA261301F V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的PTFA261301F V1是一款高性能射频MOSFET晶体管，专为高效率、高功率的射频功率放大应用设计。该器件主要应用于工作频率在26.5 GHz附近的毫米波频段，适用于高频通信系统。 其典型应用场景包括：卫星通信系统中的上行/下行链路功率放大器、点对点微波回传系统（如E-band通信）、5G毫米波基站的射频前端模块，以及雷达系统（尤其是军用和气象雷达）。由于其具备高输出功率、高增益和高效率的特点，特别适合在需要长距离传输和高数据速率的无线通信系统中使用。 此外，PTFA261301F V1采用先进的硅基技术，具有良好的热稳定性和可靠性，可在严苛环境下稳定运行，因此也广泛用于航空航天与国防领域的高频发射模块中。其小型化封装还有助于减小系统尺寸，满足现代通信设备对紧凑设计的需求。 总之，PTFA261301F V1主要面向高频、高功率需求的专业通信和雷达系统，是实现毫米波频段高效信号放大的关键器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ptfa261301ef_ds_07.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b4114e761562 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTFA261301F V1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GOLDMOS® |
| 供应商器件封装 | H-31260-2 |
| 其它名称 | SP000102795 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.68GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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