Datasheet下载- 型号： BLF6G10LS-160RN:11
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-160RN:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-160RN:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-160RN:11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10LS-160RN:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-160RN:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10LS-160RN:11是由Ampleon USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频应用。该器件特别适用于广播、工业加热、射频激励电源以及无线基础设施等领域。 该型号工作频率范围宽，适用于从几十MHz到GHz级的射频功率放大场景，具备高效率、高线性度和良好的热稳定性，适合用于连续波（CW）或脉冲工作模式。由于其高功率密度和优良的耐用性，BLF6G10LS-160RN:11也常用于射频能量应用，如感应加热、等离子体生成和医疗设备中的射频电源系统。 此外，该器件采用高集成度封装，具备良好的散热性能，适用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备。其160V的漏极电压耐受能力使其在高电压应用场景中具有更高的安全裕量和可靠性。 总结来说，BLF6G10LS-160RN:11广泛应用于广播发射机、射频电源、工业加热系统、测试设备以及各类高功率射频放大器中，是高性能射频功率放大解决方案的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-160RN:11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934063282118 |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | 39A |
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