Datasheet下载- 型号： PD20015S-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD20015S-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD20015S-E价格参考。STMicroelectronicsPD20015S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD20015S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD20015S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD20015S-E是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器应用。该器件适用于工作频率范围较宽的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施设备和工业射频设备。PD20015S-E具备高增益、高效率以及良好的线性性能，适合用于4G LTE及以下代际通信系统的基站功率放大模块。此外，该器件也可用于射频测试设备、广播系统和专用通信设备中，作为射频信号放大的关键元件。其紧凑的封装形式和良好的热稳定性使其在高密度电路设计中具有较高的适用性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD20015S-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 7A |
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