Datasheet下载- 型号： MRFE6S9130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9130HSR5 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频、高功率的射频应用。该器件特别适用于以下应用场景： 1. 广播发射机：如调频（FM）和调幅（AM）广播发射系统，用于信号的高功率放大，提供稳定和高效的射频输出。 2. 工业加热设备：在感应加热、介质加热等工业应用中，作为射频能量的功率放大元件，具有高效率和高可靠性。 3. 医疗设备：如用于理疗的射频发生装置，要求高稳定性和安全性的功率放大模块。 4. 无线通信基础设施：包括蜂窝通信基站、微波通信系统等，用于射频信号的功率放大，支持高数据传输率和稳定连接。 5. 测试与测量设备：用于射频测试仪器中，提供高功率输出以进行设备性能评估和信号模拟。 该器件采用高可靠性LDMOS技术，具有高增益、低失真和良好热稳定性的特点，适合在高功率、高频率环境下长期稳定工作。其5引脚表面贴装封装（SOT1224-1）便于散热和集成，广泛应用于需要高效射频功率放大的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9130HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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