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型号： BLL6H0514L-130,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H0514L-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H0514L-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL6H0514L-130,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLL6H0514L-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H0514L-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLL6H0514L-130,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。该型号主要应用于射频功率放大器领域，具有高效率、高线性度和宽带宽的特点，适用于多种无线通信场景。以下是其主要应用场景：

1. 无线通信基站：  
   该器件可用于蜂窝基站的射频功率放大器中，支持包括 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G 等多种通信标准。其高效的功率转换能力和良好的线性度使其成为基站应用的理想选择。

2. 广播系统：  
   在 AM/FM 广播或数字音频广播（DAB）系统中，BLL6H0514L-130,112 可用于驱动发射机的射频信号，提供稳定且高效的功率输出。

3. 航空航天与国防：  
   该型号适合用于雷达系统、卫星通信和军用无线电设备中，能够满足这些领域对高可靠性、高效率和高性能的需求。

4. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   在 ISM 频段内，例如微波加热、等离子体生成或无线能量传输等领域，这款 MOSFET 可以提供稳定的射频功率输出。

5. 测试与测量设备：  
   在实验室环境中，该器件可集成到信号发生器或功率放大器中，用于测试射频组件和系统的性能。

总结来说，BLL6H0514L-130,112 凭借其卓越的射频性能，广泛应用于通信、广播、国防、工业以及测试设备等领域，为各种射频功率放大需求提供了可靠的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR LDMOS DRIVER SOT1135A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLL6H0514L-130,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM2
其它名称	568-7557-5 934064569112 BLL6H0514L-130,112-ND BLL6H0514L130112
功率-输出	130W
包装	管件
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	SOT-1135A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	50mA
频率	1.2GHz ~ 1.4GHz
额定电流	18A