Datasheet下载- 型号： PD57002-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57002-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57002-E价格参考。STMicroelectronicsPD57002-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57002-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57002-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57002-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在UHF到微波频段的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等。PD57002-E具备高增益、高效率和良好的线性度特性，适合用于4G/5G通信基站中的射频功率放大器前端，以提升信号传输质量与系统稳定性。此外，其坚固的LDMOS结构和良好的热稳定性，使其能够在较高功率水平下可靠运行，适用于需要高可靠性和高性能的工业级应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57002-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5304-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF137037?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 250mA |
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