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  • 型号: AFT18S230SR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT18S230SR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT18S230SR5价格参考。Freescale SemiconductorAFT18S230SR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AFT18S230SR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AFT18S230SR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 AFT18S230SR5 是一款高性能射频MOSFET器件,属于晶体管中的射频功率场效应管(RF MOSFET),广泛应用于射频功率放大场景。该器件特别适用于高频、高效率的无线通信系统,工作频率范围覆盖VHF至UHF频段,具备高增益、低失真和良好的热稳定性。

典型应用场景包括:陆地移动无线电(如公共安全通信、警察、消防和应急通信系统)、商业及工业双向无线电系统、基站功率放大器模块,以及需要高可靠性射频输出的固定站通信设备。此外,AFT18S230SR5也常用于广播通信和射频能量应用,如工业加热或医疗设备中的射频源。

由于其采用先进的横向MOSFET技术,该器件在高电压环境下仍能保持稳定性能,支持高驻波比(VSWR)耐受能力,增强了在恶劣匹配条件下的可靠性。这使其在野外或复杂电磁环境中运行的通信系统中表现出色。

总之,AFT18S230SR5是一款专为严苛环境设计的射频功率晶体管,适用于对稳定性、输出功率和线性度要求较高的专业无线通信和射频系统,是现代射频功放设计中的关键元件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF 1.8GHZ 230W NI780S-6

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

AFT18S230SR5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-780S-6

功率-输出

50W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

NI-780S

晶体管类型

LDMOS

标准包装

50

电压-测试

28V

电压-额定

65VDC

电流-测试

1.8A

频率

1.81GHz ~ 1.88GHz

额定电流

10µA

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