Datasheet下载- 型号： NE3503M04-T2-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3503M04-T2-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3503M04-T2-A价格参考。CELNE3503M04-T2-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3503M04-T2-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3503M04-T2-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3503M04-T2-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能GaAs pHEMT射频MOSFET，专为微波/射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括： - 无线通信基础设施：用于4G LTE及5G Sub-6 GHz基站的末级驱动级或中功率输出级放大器（如PA Driver Stage），支持2–4 GHz频段，具备高增益（>15 dB）、高效率（PAE约40% @ 2.5 GHz）和优良线性度； - 点对点微波通信系统：适用于24 GHz以下短距回传链路（如E-band前传/回传）中的发射模块； - 雷达与传感系统：在汽车雷达（24 GHz）、工业雷达及安防传感设备中用作低噪声、高稳定性的射频放大单元； - 测试仪器与射频模块：集成于矢量网络分析仪（VNA）前端、信号源或宽带射频收发模块中，提供可靠的小信号放大与功率驱动能力。 该器件采用超小型SOT-343（SC-70）封装，支持表面贴装，具备优异的热稳定性与ESD防护（HBM Class 1C），适合高密度PCB布局。需配合匹配电路与偏置网络（典型Vds=5 V, Ids≈60 mA）以实现最佳性能。不适用于大功率主功放（如宏基站末级）或毫米波（>30 GHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | AMP HJ-FET 12GHZ M04 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE3503M04-T2-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.45dB |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 12GHz |
| 额定电流 | 70mA |
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