【未分类_NE3503M04-T2-A】封装/厂家_NE3503M04-T2-A中文资料_价格

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型号： NE3503M04-T2-A
制造商： CEL
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE3503M04-T2-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3503M04-T2-A价格参考。CELNE3503M04-T2-A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NE3503M04-T2-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3503M04-T2-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE3503M04-T2-A 是由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。该型号主要应用于高频射频领域，具有低噪声、高增益和高线性度的特点，适合用于无线通信设备和其他射频相关应用中。

以下是 NE3503M04-T2-A 的主要应用场景：

1. 射频放大器：  
   该器件可用于设计低噪声放大器（LNA），在无线通信系统中提高信号强度，同时保持较低的噪声水平。其高增益特性使其非常适合接收机前端的应用。

2. 无线通信设备：  
   在蜂窝网络、Wi-Fi、蓝牙以及其他无线通信技术中，NE3503M04-T2-A 可用作功率放大器或驱动级放大器，确保信号的有效传输和接收。

3. 射频混频器与振荡器：  
   由于其出色的线性度和频率响应，该器件也可用于射频混频器和振荡器的设计，以实现信号的调制、解调或频率转换。

4. 卫星通信与雷达系统：  
   在需要高性能射频处理的卫星通信和雷达系统中，NE3503M04-T2-A 可提供稳定的信号放大和低失真性能。

5. 测试与测量设备：  
   在射频测试仪器中，例如频谱分析仪或信号发生器，该器件可以作为核心元件，确保测试结果的精确性和可靠性。

6. 物联网（IoT）设备：  
   随着物联网技术的发展，小型化和低功耗的射频模块需求增加。NE3503M04-T2-A 可用于设计高效能的 IoT 射频模块，支持远程数据传输。

总结来说，NE3503M04-T2-A 主要应用于需要高频率、低噪声和高增益特性的射频电路中，广泛服务于通信、工业、科学和医疗等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	AMP HJ-FET 12GHZ M04
产品分类	RF FET
品牌	CEL
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NE3503M04-T2-A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	M04
功率-输出	-
包装	带卷（TR）
噪声系数	0.45dB
增益	12dB
封装/外壳	SOT-343F
晶体管类型	HFET
标准包装	3,000
电压-测试	2V
电压-额定	4V
电流-测试	10mA
频率	12GHz
额定电流	70mA