Datasheet下载- 型号： MRF6V2010NBR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V2010NBR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V2010NBR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V2010NBR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V2010NBR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V2010NBR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的MRF6V2010NBR5是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频功率放大器领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 无线通信：适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。其高频率和高功率处理能力使其成为这些应用的理想选择。 2. 广播系统：用于FM/AM广播发射机的功率放大器部分，能够提供稳定的信号输出和高效的功率转换。 3. 工业、科学和医疗（ISM）应用：在需要高功率射频能量的应用中，如RF加热、等离子体生成和医疗设备中的射频电源，这款晶体管可以发挥重要作用。 4. 航空航天与国防：在雷达系统、卫星通信和电子战设备中，这款晶体管能够满足严格的性能要求，提供可靠的射频功率输出。 5. 测试与测量设备：用于高性能的信号发生器和频谱分析仪中，确保精确的射频信号生成和测量。 MRF6V2010NBR5以其卓越的射频性能、高效率和可靠性，广泛应用于上述领域，支持各种复杂的射频系统设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6V2010NBR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-272-2 |
| 其它名称 | MRF6V2010NBR5DKR |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23.9dB |
| 封装/外壳 | TO-272BC |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 30mA |
| 频率 | 220MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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