ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VP61K25HSR6
Datasheet下载- 型号： MRFE6VP61K25HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25HSR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S。您可以下载MRFE6VP61K25HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP61K25HSR6 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高效率、宽带宽的射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 广播发射系统：广泛用于中波（MW）、短波（SW）及调频（FM）广播发射机（如1–30 MHz及VHF频段），支持连续波（CW）和高调制深度信号（如AM、DRM），额定输出功率达1.25 kW（脉冲/连续波模式下），具备优异的热稳定性和可靠性。 - 工业与科学射频加热设备：如等离子体发生器、介质加热、感应加热电源（工作频段通常在1–30 MHz），得益于其高耐压（VDSS = 135 V）、高增益与强抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1），可在严苛工业环境下长期稳定运行。 - 军用与航空通信系统：适用于HF/VHF频段战术电台、电子对抗（ECM）和雷达激励级放大器，满足MIL-STD-750/883等可靠性标准，具备良好的ESD防护和瞬态过压耐受性。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1222A），集成源极键合焊片，优化热传导；需配合NXP推荐的匹配电路与高效散热设计（如强制风冷或水冷）使用。不适用于低频开关电源或数字逻辑开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP61K25HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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